Etapa de salida RF de 360w

Con tan sólo dos transistores trabajando en paralelo se logra esta etapa de salida que provee una potencia total de 360 ​​vatios con tan sólo 40 en su entrada.

Το κέντρο είναι αυτό που προορίζεται για τα τρανζίστορ για την ισχύ της RF της εταιρείας Philips Semiconductors BLX15, λειτουργική και παράλληλη διαμόρφωση. Las únicas tres resistencias del sistema deben ser de 10 watts y de carbón, ambos transistores deben estar debidamente disipados a fin de no sobrecalentarse.

Todas las bobinas marcadas como BI sin del tipo impresas, las cuales están dibujadas en la plaqueta por medio de pistas de cobre. RFC (uno en cada βάση) son choques de RF convencionales. CH es una bobina de 2 vueltas de alambre 1.5mm sobre ferrite para choques. Las bobinas L (una en cada colector) están formadas por 3 vueltas de alambre 1.5mm sobre aire de 9mm.

El ajuste de esta etapa se realiza de izquierda a derecha, desde la entrada hacia la salida, con carga fantasma de ser posible.

Aquí está en escala real el diseño del circuito impreso el cual debe ser de doble cara (la otra debe ser completamente cobre) και το υλικό εποξειδικό.

Los componentes se colocan siguiendo la siguiente guía:

Una vez armado y calibrado el módulo puede ser colocado dentro de un gabinete (προτιμώμενο μέταλλο). Είναι πολύ συνιστώμενο montar la fuente de alimentación en el interior del mismo gabinete a fin de minimalar la absorción de ruidos.

Dada la potencia (en nuestro caso) decidimos dotar a la unidad de potencia de ventiladores eléctricos. Τροφοδοτικό με 50 βολτ και 7 αμπέρ (casi nada).

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